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Secteur · SV

Semi-conducteurs & vide

Le nitrure de bore hexagonal pressé à chaud conduit la chaleur, isole électriquement, reste stable sous vide et en atmosphère inerte et s’usine à tolérances serrées. Le tungstène pressé à chaud convient aux pièces pour le vide poussé, avec essais de dégazage et RGA disponibles.

Wafer de silicium diffractant la lumière

01Applications

Applications — Semi-conducteurs & vide

ApplicationNuancesAussi en
Composants pour vide poussé et atmosphère inerteYM-W HPYM-BN PYM-BN Si
Montages et suscepteurs de fourYM-BN PYM-BN SiYM-W HPPoudre de nitrure de boreIN
Isolants électriques et entretoises haute températureYM-BN PYM-BN SiPoudre de nitrure de boreIN
Gabarits et montages pour systèmes plasmaYM-BN Si
Creusets, nacelles d’évaporation, contact métal en fusionYM-BN PYM-BN SiPoudre de nitrure de boreIN
Gestion thermique avec isolation électriqueYM-BN PPoudre de nitrure de boreIN

02Matériaux

Matériaux pour ce secteur

BNYM-BN

Nitrure de bore hexagonal

hBN pressé à chaud : conducteur thermique, isolant électrique, usinable à tolérances serrées.

PSi
Masse volumique · P
≥ 1,95 g/cm3
Rigidité diélectrique · P
≥ 30 kV/mm
Température max. d’emploi, vide / inerte · P
≈ 2000 °C
WYM-W

Tungstène haute densité

Tungstène pressé à chaud et alliages lourds W-Ni-Cu / W-Ni-Fe pour l’atténuation gamma et X compacte.

HP96C97F
Masse volumique · HP
≥ 19,0 g/cm3
Masse volumique · 96C
≥ 18,0 g/cm3
Masse volumique · 97F
≥ 18,3 g/cm3

Note d’application

Le nitrure de bore dans le four

Le hBN pur conserve sa rigidité diélectrique en température et n’est pas mouillé par la plupart des métaux en fusion. Le composite à la silice ajoute résistance à la flexion et à l’oxydation pour le plasma et les procédés semi-conducteurs.

≥ 30 kV/mm
Rigidité diélectrique · YM-BN P
≈ 2000 °C
Température max. d’emploi, vide / inerte · YM-BN P
≥ 100 (∥, ⊥) MPa
Résistance à la flexion · YM-BN Si